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KADS
Físicos da Universidade da Califórnia, nos Estados Unidos, fizeram uma descoberta significativa para o desenvolvimento de um tecnologia que libertaria os usuários da necessidade de realizar boot em computadores, combinando assim a lógica com a memória de leitura não volátil. Segundo o cientista chefe que conduz a pesquisa, a nova tecnologia de transistores poderia se tornar uma realidade em cerca de cinco anos, reduzindo o consumo de energia de tal maneira que computadores, telefones celulares e outros dispositivos eletrônicos poderão permanecer ligados o tempo todo.
A descoberta ocorreu quando os pesquisadores injetaram com sucesso um elétron girando ao redor do seu eixo em um material chamado de grafeno, que é essencialmente uma camada muito fina de grafite, semelhante a encontrada em um lápis, mas com a espessura de um átomo.
O processo é conhecido em inglês como "Tunneling Spin Injection", e trata-se de colocar um elétron no grafeno, representando um bit de dados. Ao injetar vários bits no grafeno, ele podem ser armazenados em um estado não-volátil (sem a necessidade de eletricidade).
Fluxo de elétrons segundo universidade norte-americana
A imagem de cima mostra o fluxo de elétrons (linha pontilhada) quando nenhum isolante é usado. Como demonstrado na imagem abaixo, o fluxo do elétrons polarizados é muito melhor quando um isolante de óxido de magnésio é utilizado. (Crédito da imagem: laboratório Kawakami, UC Riverside). Se bem sucedido, os pesquisadores criaram um chip que elimina as operações de entrada / saída (I/O).
"Se você pode diminuir a energia necessária, então você pode diminuir o tamanho dos circuitos de apoio", afirmou Kawakami. "Estamos trabalhando em um conceito totalmente novo", comentou ele.
O Grafeno recebeu ampla notoriedade no início deste mês, quando os pesquisadores russos Andre Geim e Konstantin Novoselov venceram o Prêmio Nobel de Física 2010 por novas descobertas sobre o material.
Fonte: PC World
O processo é conhecido em inglês como "Tunneling Spin Injection", e trata-se de colocar um elétron no grafeno, representando um bit de dados. Ao injetar vários bits no grafeno, ele podem ser armazenados em um estado não-volátil (sem a necessidade de eletricidade).
Fluxo de elétrons segundo universidade norte-americana
A imagem de cima mostra o fluxo de elétrons (linha pontilhada) quando nenhum isolante é usado. Como demonstrado na imagem abaixo, o fluxo do elétrons polarizados é muito melhor quando um isolante de óxido de magnésio é utilizado. (Crédito da imagem: laboratório Kawakami, UC Riverside). Se bem sucedido, os pesquisadores criaram um chip que elimina as operações de entrada / saída (I/O).
"Se você pode diminuir a energia necessária, então você pode diminuir o tamanho dos circuitos de apoio", afirmou Kawakami. "Estamos trabalhando em um conceito totalmente novo", comentou ele.
O Grafeno recebeu ampla notoriedade no início deste mês, quando os pesquisadores russos Andre Geim e Konstantin Novoselov venceram o Prêmio Nobel de Física 2010 por novas descobertas sobre o material.
Fonte: PC World
